答：
含摻雜劑且厚度小于1μm的硅單晶薄片。
<dd id="q39j9"></dd>
含摻雜劑且厚度小于1μm的硅單晶薄片。
首先將硅礦石提純制備得到多晶硅，然后再將多晶硅與摻雜劑混合并進行熔融重結晶過程制備得到單晶錠，最后將單晶錠經過切片、磨片、倒角、熱處理、拋光、清洗等操作后制備得到高平坦度及表面潔凈度的硅片。
硅片主要應用于各種半導體芯片中，然后通過各種組裝應用于生活中的各種電子設備，例如：電視、電腦、移動電話、汽車等。
硅在地球上儲量達到26.8%，僅次于氧；
硅的能隙較大（1.13V），使其具有較高的操作溫度及較低的漏電流；
硅片表面的SiO2層能耐高溫，對硅片起保護作用。
硅常以化合物（如：硅酸鹽、二氧化硅）的形式存在于巖石、塵土、沙子中。
摻雜劑主要為硼（B）、磷（P）、砷（As）、銻（Sb），其中摻B的硅片為P型，主要是空穴導電。P、As、Sb摻雜的硅片為N型，是利用電子導電。